Cơ sở nguyên tố của các nguyên tố bán dẫn không ngừng phát triển. Trên thực tế, mỗi phát minh mới trong lĩnh vực này đều thay đổi toàn bộ ý tưởng về hệ thống điện tử. Khả năng thiết kế vi mạch đang thay đổi, các thiết bị mới dựa trên chúng đang xuất hiện. Đã rất nhiều thời gian trôi qua kể từ khi phát minh ra bóng bán dẫn đầu tiên (năm 1948). Các cấu trúc "p-n-p" và "n-p-n", bóng bán dẫn lưỡng cực, đã được phát minh. Theo thời gian, bóng bán dẫn MIS cũng xuất hiện, hoạt động trên nguyên lý thay đổi độ dẫn điện của lớp bán dẫn gần bề mặt dưới tác dụng của điện trường. Do đó, một tên khác cho phần tử này là trường.
Chữ viết tắt MIS (kim loại-điện môi-bán dẫn) đặc trưng cho cấu trúc bên trong của thiết bị này. Thật vậy, cổng của nó được cách ly với cống và nguồn bằng một lớp mỏng không dẫn điện. Một bóng bán dẫn MIS hiện đại có chiều dài cổng là 0,6 µm. Chỉ có trường điện từ mới có thể đi qua nó - đây là điều ảnh hưởng đến trạng thái điện của chất bán dẫn.
Hãy xem cách thức hoạt động của FET và tìm ra điểm khác biệt chính của nó so vớilưỡng cực "anh em". Khi điện thế cần thiết xuất hiện, một trường điện từ xuất hiện trên cổng của nó. Nó ảnh hưởng đến điện trở của mối nối nguồn thoát nước. Dưới đây là một số lợi ích của việc sử dụng thiết bị này.
- Ở trạng thái mở, điện trở chuyển tiếp nguồn xả rất nhỏ, và bóng bán dẫn MIS được sử dụng thành công như một khóa điện tử. Ví dụ: nó có thể điều khiển một bộ khuếch đại hoạt động bằng cách ngắt tải hoặc tham gia vào các mạch logic.
- Cũng đáng chú ý là trở kháng đầu vào của thiết bị cao. Thông số này khá phù hợp khi làm việc trong các mạch dòng điện thấp.
- Điện dung thấp của điểm nối nguồn xả giúp có thể sử dụng bóng bán dẫn MIS trong các thiết bị tần số cao. Không có hiện tượng méo tín hiệu trong quá trình truyền tín hiệu.
- Sự phát triển của công nghệ mới trong sản xuất các phần tử đã dẫn đến việc tạo ra các bóng bán dẫn IGBT kết hợp các phẩm chất tích cực của trường và phần tử lưỡng cực. Các mô-đun nguồn dựa trên chúng được sử dụng rộng rãi trong bộ khởi động mềm và bộ chuyển đổi tần số.
Khi thiết kế và làm việc với các phần tử này, phải tính đến các bóng bán dẫn MIS rất nhạy cảm với quá áp trong mạch và tĩnh điện. Tức là thiết bị có thể bị lỗi khi chạm vào các cực điều khiển. Khi lắp đặt hoặc tháo dỡ, hãy sử dụng nối đất đặc biệt.
Triển vọng sử dụng thiết bị này rất tốt. Nhờ vàođặc tính độc đáo của nó, nó đã được ứng dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử khác nhau. Một xu hướng đổi mới trong thiết bị điện tử hiện đại là sử dụng các mô-đun IGBT công suất để hoạt động trong các mạch khác nhau, bao gồm cả mạch cảm ứng.
Công nghệ sản xuất của họ không ngừng được cải tiến. Các bước phát triển đang được tiến hành để điều chỉnh tỷ lệ (giảm) chiều dài của cửa chớp. Điều này sẽ cải thiện hiệu suất vốn đã tốt của thiết bị.
